碲化铟(InTe) <100> 取向 单晶基片
碲化铟多晶体indium =elluride crys<<<l In2Te3时期表第 m. Gr族因素有机化合物半导体技术。共价键通过,有阴阳离子键化学成分。闪锌矿型机构。密度计算公式5.7撇/cm3沸点6fi7};。禁带宽起步度 1 . C1eV,通常情况为n形材料。手机和空穴搬迁率分开为3. 1U 2和5x 10一'm"}( V's)}热一导率1.4W/(rn-It)}采{ 里奇曼法纪备。用在加工制作红外探测系统器。