碲化铟(InTe) <100> 取向 单晶基片
碲化铟晶胞indium =elluride crys<<<l In2Te3时间间隔表第 m. Gr族稀土元素有机化合物半导。共价键搭配,有阴阳离子键含量。闪锌矿型形式。溶解度5.7撇/cm3凝固点6fi7};。禁资源带宽度 1 . C1eV,大部分为n钢材料。手机和空穴变迁率各为3. 1U 2和5x 10一'm"}( V's)}热一导率1.4W/(rn-It)}采{ 里奇曼法纪备。在生产制作红外检测器。



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