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磷化铟(InP) 单晶 <100>取向 单晶基片
发布时间:2022-04-28     作者:ysl   分享到:
InP相对适合于低频元配件封装,如高电子为了满足电子时代发展的需求,迁出率多结晶体管和异质结双极多结晶体管(HBT) 等的领域。InP基元配件封装在公厘波、通迅、防撞护栏系統、图象传调节器器等的领域有密切选用。

磷化铟(InP) 单晶

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