掺铌钛酸锶多晶硅与纯钛酸锶有相近的结构设计，但有电导性。掺铌钛酸锶的内阻率在0.1 - 0.001 W-cm之間影响近年来掺铌氧化还原电位在0.1-0.001wt%之間各不相同。抗扰的多晶硅基片为保护膜和电子元件给予了金属电极。

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