通过水相法合成了一种新型的多巯丙基poss(OctamercaptopropylPOSS，0M-POSS)体现的CdTe量子点，该量子点的荧光量子产率高可达95%，本文我们讨论了量子点的合成参数如CdTe比例、pH值、NAC/Cd比例等对量子点生长及发光性质的影响，同时对OM-POSS修饰的CdTe量子点的光稳定性和稳定性进行了研究。

OM-POSS修饰的CdTe量子点的制备与纯化在可控合成NAC修饰的CdTe量子点的基础上，我们制备OM-POSS修饰的CdTe量子点，其制备过程如下。

**将0.061g的OM-POSS易溶20mL四氢呋喃(THF)中，混合10min后，逐中滴加入NAC水饱和溶液，表中NAC的量为1.2mmol，其实两者搅拌装置10min混合法匀称后成为1mmol的CdCh2。5H2O环境温度绞拌30min，收获含Cd²⁺的前轮驱动体饱和溶液，险遭实验性步聚与NAC掩盖的CdTe想同，在当中NAC/OM-POSS20:1。量子点纯化流程中，先用THF消去未不良反应完成的OM-POSS，进而如何再用酒精除了其它的的少量制剂及副产物。

OM-POSS表达的高动物相匹配性CdTe碲化镉荧光量子点的光谱仪分析方法

OM-POSS修饰的高生物相容性CdTe碲化镉荧光量子点的结构表征

OM-POSS修饰的高生物相容性CdTe碲化镉荧光量子点的透射电子显微镜(TEM)表征

我根据電子散射電子显微镜观察(TEM)来评估POSS-CdTe量子点的寸尺和形貌，如同2.11表达，荧光卫星发射可见光波长在554nm处的POSS-CdTe量子点星均匀的吸附的近圆形，粒级划分更加均一，约为2.7nm。

总结：我们大家制法了OM-POSS呈现的CdTe量子点，但是可以通过IR，xPs，EDS等公测的方法材料了OM-POSS对CdTe的取得胜利装饰，依据XRD和TEM表现了POSS-CdTe量子点的设计和形貌。UV紫外线明显可见的吸取光谱图仪和荧光导弹发射光谱图仪反映，进行OM-POSS修饰语后CdTe量子点的种植快慢很大降低，这是而是多巯基的OM-POSS与C8铝离子建成了更加稳定定的络合物导致的。在UV紫外线光和有氧周围环境中，POSS-CdTe量子点应该保持着相对好的光稳定的性；有时POss-CdTe量子点在摆放几三个月后，还是能够 始终维持很高的荧光标准，具备着很棒的稳固性。这是鉴于NAC和OM-POSS每种突显剂就能够与Cf在量子点表面能建成另一层Cd-SH络合物，哪一络合物覆盖在CdTe量子点接触面，可不可以有*钝化量子点接触面，表明量子点维持稳定的发光字性能指标。

碳量子点修饰铁酸镧/凹凸棒纳米复合材料

氮掺杂碳量子点修饰单层钨酸铋复合材料

CdSe/ZnS量子点修饰槲皮素抗菌

Pd量子点修饰氧化钼纳米纤维

碳量子点修饰氧化锌光阳极

ZnO量子点修饰碳纳米管(CNT)

钯量子点修饰氧化锌单晶纳米线

碳量子点修饰葡萄糖氧化酶酶膜

碳量子点修饰聚吡咯纳米阵列材料

碳量子点修饰二氧化钛(TiO2)纳米阵列材料

碳量子点修饰氮化钛纳米材料

硫化亚铜量子点修饰三维花状结构BiOBr复合光催化材料

碳量子点修饰介孔二氧化硅复合材料

Si量子点修饰TiO2电极

CdTe量子点负载ITO玻璃上

量子点修饰纳米ZnO

多级结构硫化钴镍碳量子点复合材料

镍钴锰MOF负载氮掺杂碳量子点

二氧化钌量子点修饰五氧化二钒纳米材料

石墨烯量子点修饰金纳米颗粒

氧化亚铜量子点修饰氧化锌纳米线阵列

量子点修饰TiO2/SiO2/Fe3O4纳米粒子

氧化锌量子点修饰碳纳米管

PVP/CdS量子点修饰电极

聚乙烯吡咯烷酮(PVP)表面修饰硫化镉(CdS)半导体量子点（PVP/CdS）

石墨烯量子点修饰二氧化硅纳米材料

石墨烯量子点修饰Bi2WO6复合材料

黑磷烯量子点修饰石墨烯薄膜

水溶性CdS量子点修饰原位石墨烯无酶葡萄糖