用高低温容剂热法冶备了最低值颗粒直径为4.4 nm的ZnO量子点。

以ZnO QD溶液为原料，采用旋转镀膜技术制备了光电材料ZnO QD薄膜，并分别在250、350和450℃退火。随着退火温度升高至450℃，ZnO的平均晶粒尺寸和能带隙分别由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV增大和减小。

光致发光分析表明，包覆光电材料ZnO薄膜和250℃退火的ZnO薄膜中存在高密度的氧空位;这些缺陷在温度升高到350和450°C时减少。

复合膜的光电子使用性能受晶粒大小长宽比和复合膜中不足的影晌较高。发生变化温湿度上升到450℃，光暗电流值比(PDCR)从3723降低了到371%，而反应率从1.25加大到218 mA/W。

as耐磨涂层和250°c淬火的塑料膜原因其不大的表面层与占地比，在PDCR、变高时期和越来越低时期几个方面包括好的光积极地响应，使其是钙钛矿日头能电池箱中的电子器件传导层。

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