光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响
主要包括高低温相转移催化剂热法治备了均衡粒级为4.4 nm的ZnO量子点。
以ZnO QD溶液为原料,采用旋转镀膜技术制备了光电材料ZnO QD薄膜,并分别在250、350和450℃退火。随着退火温度升高至450℃,ZnO的平均晶粒尺寸和能带隙分别由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV增大和减小。
光致发光分析表明,包覆光电材料ZnO薄膜和250℃退火的ZnO薄膜中存在高密度的氧空位;这些缺陷在温度升高到350和450°C时减少。
贴膜的光电科技功能受晶粒度尺寸图和贴膜中通病的决定太大。跟随水温身高到450℃,光暗直流电压比(PDCR)从3723削减到371%,而加载失败率从1.25提升到218 mA/W。
as金属涂层和250°c退火处理的聚酯薄膜是由于其很大的外层与重量比,在PDCR、增加准确精力和减退准确精力地方有着最佳的光回复,使其成為钙钛矿太阳时能電池中的电子器材传送层。
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