光电材料|Nb,N共掺杂TiO2光电性能的数值研究
利用**性原理研究了本征型光电材料TiO2和不同(Nb, N)共掺杂摩尔比下的单元电池结构、缺陷形成能和光电性能。
**,计算和分析了本征光电材料TiO2和各掺杂体系的晶体结构和缺陷形成能。
显示随着时间的推移Nb夹杂着量的增强,机关单位胞体表面积和生成能也增强,但在富氧生态下更简易生成障碍。
然后,计算分析了本征光电材料TiO2和各掺杂体系的电子结构、密度状态和光电性质。
看见Nb使费米能级开启导带(Nb, N) co-doped二氧化反应钛,Nb方面的增长使其构成一位N型光电器件电子技术氧浓度较高,和N**的的影响提高了禁速率度和增长光挥发因子。

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