研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质设计显现出ii型能帶摆列，在Γ点有方向带隙（1.75 eV），有效于光电子空穴对的**隔离，提升载流子的使用寿命。

此外，光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移，打破了α-CNH的各向异性，进一步提高了可见光范围内的光学吸收。

光电材料zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素，表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

我国的工做也从电荷量区域的视角来解决了异质结的各向女性朋友或各向同性男大问题，并发现敲破原料的各向女性朋友需要有效改善原料的光电公司性能参数。

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