构建了光电材料g-ZnO/α-CNH van der Waals （vdW）异质结构。

基于**性原理计算，研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质结构类型凸显ii型还能带排列成，在Γ点有方向带隙（1.75 eV），有利用于自动化空穴对的**分离法，延缓载流子的保修期。

此外，光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移，打破了α-CNH的各向异性，进一步提高了可见光范围内的光学吸收。zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素，表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

公司的工作中也从电势区域划分的立场处理好了异质结的各向女性朋友或各向男同的问题，

并呈现破除村料的各向女性朋友是可以调理村料的光电科技材料耐腐蚀性。该上班为光电科技材料电子元器件的结构设计提高了有使用价值的考生。

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