构建了光电材料g-ZnO/α-CNH van der Waals （vdW）异质结构。

基于**性原理计算，研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质形式体现ii型准带排列成，在Γ点有方向带隙（1.75 eV），益于于电商空穴对的**溶合，减少载流子的使用期。

此外，光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移，打破了α-CNH的各向异性，进一步提高了可见光范围内的光学吸收。zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素，表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

当我们的岗位也从电荷量遍布的的角度改善了异质结的各向喜欢的人或各向同性恋者方面，

并发现影响素材的各向情人就可以有所改善素材的光電的性能。该工作任务为光電元器件封装的设定给出了有價值的参考使用。

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