纳米硅量子点(Si QDs)的发光机制研究
硅量子点(Si QDs)的尺寸一般小于10 nm,由于量子限域效应和表面效应而表现出与体硅材料不同的电子和光学性质,因此硅量子点受到了研究者的关注。
图1 性能表征
a,通过Gregorkiewicz论述组的实验操作大数据,硅量子点隐性带隙基态PL带和源能直观带隙PL带随量子点截面积强弱更改的转化。
b,我们对直劲3,在室内温度为70 K精确测量的单量子发光谱分析和消化谱与理论体系运算结论的较好。
c,Gregorkiewicz分析分析组的分析数据统计所述随量子点增加一直带隙在能力上不断红移(光谱图上的红移通常是指光量子能力变小,光量子光的波长拉长),该分析分析的本体论最后所述随硅量子点变小,一直带隙不时有发生**红移,反而是还有一个点蓝移。
图2 调查数据报告的比较
灰黑色,红和蓝色的数字符号主要对应着于具备有其它Γ-显著特点描述、具备有≥10%和≥50%的Γ-显著特点描述的**激光能量动态。
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