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ZnTe/CdSe type-II量子点,CdSe/ZnSe Type-I量子点的形貌和光学性质
发布时间:2021-07-01     作者:zhn   分享到:

ZnTe/CdSe type-II量子点,CdSe/ZnSe Type-I量子点的形貌和光电器件特性

采用ZnTe/CdSe type-II量子点做光子吸收体,Type-II量子点光生电子和空穴在物理空间上是分开的,处在不同的核壳之中,具有非常宽的吸收范围、非常快速的载流子分离和缓慢的复合过程,这些**的特性使其成为光子上转换吸收体的选择之一;

选用CdSe/ZnSe Type-I量子点作为光子发射体,Type-I量子点光生电子和空穴限域在同一种成分里面,因此光子复合速率快、效率高、荧光量子产率和稳定性高,是作为光子发射体的不二选择。

将这三种量子点封闭式管理成双量子点管理体制,大幅度从而提高了半导体设备双量子点装修材料的上换算发亮质量。
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方便科研上更换会亮的步骤,科研人数体现了能兑换会高人体脂肪电子束的两种可能会路径。共鸣激励还要**个挥发率的电子束出于共鸣的情形(在 820nm),这这其中又可根据如下图2a 已知的**次共鸣带内挥发率(仅在 820nm 处挥发率)或根据如下图 2b 已知的带间挥发率(也在 1064nm 处开通)去。双电子束挥发率(图2c)与 UC 步骤如此都能激励出相当的高人体脂肪会亮,但它都是个瞬时步骤,不针对的目标在激会亮子处现实存在挥发率共鸣,也可取来做对比性。

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Cu夹杂着的InP@ZnSe+ZnS核壳量子点

InP@ZnSeS荧光量子点

InGaP@ZnS荧光量子点

InP/CdS核壳结构的量子点

InAs/InP量子点

InAs/InP QDs

InAs/InGaAsP/InP量子点

GaP和AlP壳的INP量子点

InAs/InGaAsP/InP叠层结构类型量子点

InP/ZnS核壳量子点

Li,zn材料铁离子掺入的InP量子点(各用记为Li:InP和Zn:InP)

近红外荧光试射的InP量子点

InAs/InP共手工面条状量子点

InP/GaP/ZnS量子点

InP与ZnSe基荧光量子点

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