Fe;On薄膜的制备有多种方法,分析MBE法生长
聚酯薄膜的配制及定量分析Fe;On透明膜的制具有多类技术: PLD,MBE,溅射法及再氧化物法等。自己的土样选用MBE法种子发芽,大部分而且那样技术行化学合成出较**的透明膜分离纯化Fe;0n保护膜有四种做法:**种即是先在衬底上形成Fe膜,再再充分根据阳极钝化物如0或NO将其阳极钝化转换Fez0保护膜。**种做法即是简单在富氧的环镜中蒸发器Fe,分离纯化Fe;0。保护膜。这个充分根据的是**种做法。**种做法有着的问题是对形成的Fe膜的规格很多定制约,最厚为6nm。不低于6nm就应该会出现阳极钝化不充分或在保护膜中呈显出出四种不低于基本特征的Fe阳极钝化物l5。若要分离纯化6nm不低于的FeyO保护膜,就需求选择重新形成加阳极钝化的做法,此事就好多方面详述。选择**种做法分离纯化Fe;On保护膜。用到的GaAs(100)衬底其平米的品向平级于趋势,用到前几天用HSO:H;Oz:H;0(4:1:1)的饱和溶液对GaAs基片的家电清洗了5秒钟,而后呢又用去亚铁离子水和异丙醇的家电清洗。将清洗后的GaAs 衬底加载失败到MBE非常高机械泵生長发育期腔在此在这之后,在830K 的室温下对其实现淬火外理40min,在此在这之后在外理过的GaAs衬底上沉积物Fe膜,而后呢再再生利用有O生活氛围的生長发育期腔,确保Oz分压5x103mbar将其腐蚀物生成二维码Fe,0s,O的res排气孔路程印刷品12cm,这些有助于于在印刷品边上达成不光滑一直以来都的汽压。下面1(a)(c〉已写出了生長发育期在GaAs 衬底上 6nm Fe贴膜和Fes0n贴膜的RHEED衍射样式,从下面1(b)都可以判断出,Fe膜为体心万立方设计(bcc),本质性生長发育期联系为Fe(100)<O01>/GaAs(100)<001>,这和另外专班的目的一致的°;图1(C)已写出了衬底室温为50OK时腐蚀物5分钟钟后的印刷品RHEED衍射样式,而后呢在一样的生活氛围下切实骤淬火腐蚀物印刷品,其RHEED衍射样式都其次一切变,说明印刷品早已经达成了安全的设计。这段时间观查到的衍射样式入射电商束顺着本质性生長发育期在 MgO ( 100)体上的Fes0·[010]趋势的RHEED衍射样式一致的。在我的贴膜印刷品測量整个过程中,电商束是顺着GaAs (100)衬底[趋势入射的,这说明本质性生長发育期的 Fey0n晶胞的<010>趋势平级于GaAs衬底的<O-11>趋势,所以,我的印刷品本质性联系为Fey0: (100)<011>//GaAs(100)<010>。