阳极氧化镁（MgO）多晶硅硅基片应运在几个塑料膜系统层面中。如适用制成磁学塑料膜、半导体设施塑料膜、光学仪器塑料膜和中持续高温作业超导塑料膜等。是由于MgO多晶硅硅在徽波波长的导热系数和耗费都有大有小，且能获取大体积的基片（长度2"及更广），所以说是当前状况工业化的重点中持续高温作业超导塑料膜多晶硅硅基片的一种。可适用制成运动网络通讯设施需要备考的中持续高温作业超导徽波滤波器等元器件封装。

关键耐磨性性能指标

生长发育方式 ：弧熔法

结晶结构设计：立米

晶格常数p;a=4.130Å 

凝固点（℃）:2800

纯净度:99.95%

相对密度（g/cm3）:3.58

抗拉强度:5.5（mohs）

热增大常数（/℃）:11.2x10-6

氯化钠晶体解理面<100>

光电通过:>90%（200~400nm），>98%（500~1000nm）

导热系数:ε=9.65

尺寸:10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，

机的薄厚:0.5mm，1.0mm

打磨:单正反或正反

晶向:<001>±0.5º

晶面专向可靠性强，精密度:±0.5°

外缘定向招生精密度较:2°（异常请求能达到1°范围之内）

斜切晶片:可按目标要求，激光加工外缘趋向的晶面按目标的角度倾角角（倾角角角1°－45°）的晶片

主要特征

 因为MgO多晶硅在微波射频股票波段的表面电阻率和耗用都有大有小，且能有大总面积的基片（直劲2英吋及最大），因为是当前状况工业化的最重要较高温度超导bopp薄膜多晶硅基片最为。

主耍妙用

应用在拍摄磁学膜、半导体设备膜、光学玻璃膜和中高温超导膜等,也能作于制造走动通信网络系统必需的高温环境超导徽波滤波器等元件。