氮化镓(GaN)单晶基片 <100>取向
GaN易与AIN、InN等构造混晶, 能制作而成各种类型异质形式,现在已经取得了较低温度下转移率高于105cm2/Vs的2-DEG(鉴于2-DEG面导热系数较高,**地禁掉了磁学声子散射、电离沉渣散射和压阻散射等条件)。