砷化铟是由铟和砷形成的Ⅲ一V族有机化合物半导体设备的村料的村料。InAs是一种种根本无法纯化的半导体设备的村料的村料。非掺In．As多晶硅硅的乘余载流子密度高出l×10/cm，室内温度电子元器件知识率3.3×10^3cm/(V·s)，空穴知识率460cm/(V·s)。硫在In．As中的**分凝弹性系数临近1，故看做n型夹杂剂，以从而提高纵向设计载流子密度规划的平滑性。工业生产用的InAs(s)多晶硅硅，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。

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