砷化铟(InAs) 晶体 <100>取向单晶基片
砷化铟是由铟和砷包含的Ⅲ一V族类化合物半导体芯片芯片原料。InAs是种难以纯化的半导体芯片芯片原料。非掺In.As单晶体体的余量载流子浓硫酸氧浓度如果超过l×10/cm,环境温度电子厂转移率3.3×10^3cm/(V·s),空穴转移率460cm/(V·s)。硫在In.As中的**分凝常数表示1,故作为n型夹杂着剂,以提高了横向载流子浓硫酸氧浓度分布点的均衡性。产业用的InAs(s)单晶体体,n≥1×10/cm3,μ≤2.0×10cm/(V·s),EPD≤5×10/cm。