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六方氮化硼与石墨烯复合形成异质结(h-BN/Graphene)的表征图
发布时间:2020-09-10     作者:zhn   分享到:

六方氮化硼与纳米材料混合产生异质结(h-BN/Graphene)的表现图

 

陕西pg电子娱乐游戏app 生物制品科持比较有限工厂批发商氮化硼颗粒、一层、少层氮化硼,六方氮化硼纳米技术片、很多基低CVD成长的氮化硼(c-BN)贴膜、共价键参杂六方氮化硼、或是组成六方氮化硼、石墨烯产品、二混炼钼等达成异质结组合产品。

 

异质结是五种有差异的半导体材料芯片相接觸所行成的介面区域内,异质结常都具有五种半导体材料芯片分别的PN结都并不能实现的质量良好的光电科技性质,使它适用于于拍摄超长速启闭集成电路芯片、太阳的光能干电池与半导体技术离子束器等。往往用将六方氮化硼与一些二维板材做好复合型造成异质结以配合二种原料的长处和优点,也是当下研究方案的热点问题其一。将氮化硼BN和纳米材料开展单电子层层的包覆,因此再生利用BN的绝缘带性能指标和石墨的导能量补充力,招引了工业化界和科学课界的密切准备。完成CVD还是外加繁殖的做法,都就可以以实现了异质结的变成。

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石墨稀/h-BN异质结3种不一样的的沉积玩法图示图(a)AA; (b)ABB;(c)ABN;上图为俯览图

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BN-纳米材料异质结的准备和分析方法


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(a) 纳米材料/h-BN面内及竖向叠层异质结的生长期构造图; (b)异质结的UV-visible光谱图定量分析

 

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二混炼钼/氮化硼/石墨烯材料异质结MoS2/hBN/Graphene

二塑炼钼/二硫化橡胶钨/氮化硼/石墨烯材料异质结MoS2/WS2/hBN/Graphene  ;

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