关干MOFs脱离的论述包括集中式在一块块多晶体中的范德瓦耳斯相互间能力或氢键无线连接在一并的二维架构图上。比较常见的的方法为彩超脱离技术，单单从表面活性酶类剂的脱离技术，但在脱离技术环节中无时无刻诱发区别宽度和低出现的2D微米片(一般<15%)。为了能让解决这类的问题，现代人急切想选择一个更牢靠的措施，通过实时控制的检查是否影响来调低层间能够 能力。物理化学预插层状无机物粉末状剥落是制作薄型二维无机纳米级片的那种形式，失望的是，常见用在有机物固态垃圾的电化学插层法并不使用在将MOFs剥除成二维nm片。国家科学实验技術大学本科的周客座教授专业团队就制作了一些顺利通过从植入的MOF氯化钠晶体中完成耐腐蚀剥离技术来结合2D MOF纳米级片的新策略。

制取mof,再化学式融入不维持的联吡啶配体,4,4′联吡啶二硫(DPDS)，成型层次结构的MOF结晶，建立新的侧壁MOFs。而是层间完美运行运行三级甲等基膦(TMP)物理备份二硫键，MOFs很轻松脱落情况成超溥层(∼1nm)和高利益(∼57%)。

从PXRD图能够看到过来，层边距从19.604 变的 45.237 Å，反映DPDS加上到原MOFs层中，形象化的来说正是体积计算延长了，这正是很看不出的想象。

经TMP恢复备份后，在341 nm处会出现与4-巯基吡啶应对的新峰，阐述DPDS在电化学上被截取视频成4-巯基吡啶。陆陆续续，在包含Zn₂(PdTCPP)(DPDS)₂氯化钠晶体的甲醇溶剂内加入TMP后，4-巯基吡啶和PdTCPP相关联的341和425 nm处经常出现了新的峰。且伴随着周期的延长峰变强。

实现散发出电镜(TEM)和分子力电子显微镜(AFM)对分离后的纳米技术片确定了分析方法能否听到剥落以后演变成了薄款的团状物（约为1纳米级），相同于单氧分子层的壁厚。而高辨认散发出电镜的的结果觉得单晶体机构是没有的发生影响。

根据纤薄2D纳米技术片不良反应位点更易于来到因为往往呈现出的光致作用性和明显增强的光促使特异性。卟啉具象化物因为本身的光化学反应本质特征和的挡光生产率而被多app于¹O₂的呈现。但是，进步研究方案了超簿nm片在¹O₂引起多相光催化剂氧化中的不确定使用。1，3-二苯基异苯并呋喃(DPBF)是代替查测在隐约可见光谱阳光照射(λ> 420nm)下生产的¹ o₂。下面的图现示由于准确时间的增大，吸光度越来越低表明¹O₂的出现，查测剂的使用量。图b的比动态数据需要得知该策略制作的纳米技术技术片的特点远不如多普勒彩超法冶作的纳米技术技术片。生物学脱离的2D MOF納米片在1,5-二羟基二硝基萘(DHN)的光阳极氧化中当然也有显著的的疗效。