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晶圆级单晶六方氮化硼单层
发布时间：2020-09-03     作者：harry   分享到：
薄款二维光电器件层状板材被感觉会**括展集合电源电路单晶体管的摩尔基本定律。如今二维半导体材料要面对的关键点终极挑战是如何快速尽量避免在附近电材质中组成电势散射和trap位点。越发越久的学习证实，六方氮化硼（hBN）的接地范德瓦尔斯层能否可以提供**的画面介电性，一同**削减自由电荷散射。然后，怎么样去在晶圆上实现目标靠谱的多晶硅六方氮化硼透气膜发展就成為工业园上一定完成技术水平创新的技术水平薄弱点。
【成果简介】

台湾国立交通大学的Wen-Hao Chang、台积公司（TSMC）的Lain-Jong Li以及美国莱斯大学的B. I. Yakobson（共同通讯作者）等人联合发文报道了蓝宝石晶圆上成功外延生长单晶六方氮化硼单层。过往理论体系判定，六方氮化硼三层未能在高呈对称的铜（111）重金属表面处理能改变单线生张。同时，设计人却儿童意外发现了六方氮化硼与铜（111）侧向接管（lateral docking）过后，会提高六方氮化硼的外加发展，并确定了该外加发展是双向的。理论研究还看见，进而光催化原理的单结晶六方氮化硼能能整合到二混炼钼和二腐蚀铪期间身为介面层，并能大激发结晶管的电学性能指标。该理论研究而言，这些可作于加工晶圆级多晶硅六方氮化硼的方式方法为改变新型的二维智能电子电子元器件决定了基础理论。2020年03月04日，相关成果以题为“Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111)”的文章在线发表在Nature上。
【图文导读】

图1 蓝宝石基质上的铜（111）晶格取向

图2 单晶六方氮化硼的生长和原子结构

图3 DFT计算

图4 晶圆级六方氮化硼转移过程的示意图以及光学照片

文献链接：Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111)（Nature, 2020, DOI: 10.1038/s41586-020-2009-2）