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光电材料|镓铟共掺杂改善自供电p-GaN薄膜/n-ZnO纳米线异质结紫外探测器的光电特性
发布时间:2022-02-21     作者:光电材料   分享到:

按照低温环境水热法在蓝原石/p-GaN聚酯薄膜设计上种子发芽了ZnO、ga夹杂ZnO (GZO)、in夹杂ZnO (IZO)和Ga-In共夹杂ZnO (GIZO)奈米线阵列,制法了自供水的p-GaN/n-ZnO异质结紫外线探测系统器。


小说作品抽样调查了Ga的损害或单夹杂和Ga-In提到分子运动空间结构因素和光学玻璃因素的热液地合并被氧化锌纳米技术线和光敏因素来进行了十分探索和光电材料的为了响应性的六种pn异质结紫外光遥测器。


xx射线衍射(XRD)测试方法表达,镶嵌的zno基nm线阵列包括220V六方纤锌矿构造,并沿(002)面有择优录用认知。扫码电子厂体视显微镜(SEM)查看表达,添加剂的品类对nm线的形貌和年均截面积有一个定的反应。zno基nm线的年均截面积为61 ~ 101 nm。室内温度光致夜光(PL)光谱图表达,镶嵌的znonm线包括较高的凝结性能。


应用于p-GaNbopp薄膜/n-ZnOnm线阵列的异质结光学监测器的电流量-电流电压(I-V)曲线美在暗黑和紫外光线日照下均包括整流形态。在紫外光线紫外线下,GIZO配件在5 V偏压下包括**的光敏形态。


在5 V偏压下,光暗功率比比较接近于6.0,旋钮输出功率最低1.8 V。与单参杂和未参杂ZnO集成电路芯片相信,p-GaN/n-GIZO异质结紫外光侦测器在零偏置输出功率下保证了**的光反映使用性能。


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