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光电材料|硒化温度对铁离子掺杂Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池显微结构和光电性能的影响
发布时间:2022-02-17     作者:光电材料   分享到:

Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)塑料膜是使用非真空室旋涂加工过程,但是在450 °C至575 °C的热度下硒化,在钼镀层的软性不锈钢材质衬底上分离纯化的。


探讨了硒化室内温暖和铁亚铁离子浓度值对CIGS太陽能蓄电池光電机械性能的决定。所有的x光谱线衍射(XRD)谱图与CIGS相相筛选。跟着硒化室内温暖的不断增强,未参杂CIGSpet薄膜的衍射峰构造不断增强。


但逐渐硒化的气温的提升,铁阳化合物添加CIGS保护膜的XRD峰抗压强度降低了,她是会因为铁阳化合物添加后CIGS保护膜的热安全性下调所导致。逐渐硒化的气温的提升,CIGS保护膜中科粒面积减少,保护膜外表面呈扁形状紧密化。


在450 °C环境下准备的CIGS早上的太阳能光伏容量电池的Voc、Jsc和选中标准值分为为0.401 V、21.84 mA/cm2和41.12%。许多指标会因为硒化气温的身高而开展,那就是会因为CIGS晶体度的上升和宏观构造的高密度化。


但铁正化合物添加会在气温下蔓延到降解层中,引致光电科技科技耐热性方面严重破坏。研究方案呈现,铁正化合物添加对CIGS太阳光能充电电池的光电科技科技耐热性方面和微构造造成了非常不利的影响。

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