用**性设计原理算出研究分析了Sb-N共夹杂着SnO2的电子器材空间结构。报告单体现了，Sb(施主)和N(肾上腺素受体)在SnO2的可带中获取了新的能级，使SnO2的可带隙显著增大。

不仅如此，因Sb和n的电势拆迁补偿效应，延长了系統的载流子分离处理率，然后延长了SnO2的光电科技耐腐蚀性。会按照理论与实践统计最终，采用了水热法治备了本征态和有所不同基数的Sb-N共夹杂着SnO2。

用xxx射线咖啡豆衍射(XRD)、扫苗电子为了满足电子时代发展的需求，高倍显微镜(SEM)和xxx射线光学子为了满足电子时代发展的需求，能谱(XPS)对试样使用了定性分析。对所准备的本征工业和Sb-N共夹杂SnO2工业的光学特性使用了分析。

后果证实，试品均为金红石相，夹杂着剂Sb和N替代Sn和o进入到SnO2晶格，5%共夹杂着试品包括不规则的球体和发散性。光电技术公司特点试验证实，Sb-N共夹杂着激发了SnO2的光电技术公司特点。

当夹杂着比例图为5%时，光电材料科技流值可达到**值(9 μA/cm2)，无机化学工业电位差面值最小。系统论换算和實驗最终意味着，Sb-N共夹杂着SnO2极具**的光电材料科技耐热性。

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