在双轴拉伸运动应力应变为0% ~ 5%的前提条件下，因为容重泛函学说体系核算了掺铁二维GaN的组成能、还能带的结构、介电变量、汲取指数、反射性率指数和自然损耗变量，并简单分享了带隙变化规律的研究进展。

效果体现了，随之双轴弯曲应力应变力的变大，Fe-N和Ga-N的键长呈平滑提升，带隙呈首次变换。效果体现了，二维GaN: Fe也是种随便带隙半导，其带隙业务类型未受双轴弯曲应力应变力的的影响。

未应对2D GaN: Fe的外部相对相对介电常数为28.6，跟发生变化双轴延展应对的提升，2D GaN: Fe的相对相对介电常数增长，引致2D GaN的正电荷储备电容器量:跟发生变化应对的增长，Fe怎强，寄身电容器增长，吸引因子、弯折率和损耗量函数公式的基线增长，揭示双轴延展应对会严重的影响到二维GaN: Fe的光学薄膜效能。

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