在1个处理芯片上满足许多元集成电路芯片封装的平行单支结合化己经将成为避免村料和热学耐热性指标的常规上限的有一种有出路的的方式，按照结合化彻底解决策划方案，加快了根据其同质热学特点的特有一次机会，以**加快元集成电路芯片封装耐热性指标。

在这个，小编定制了了种深太阳光的紫外线发亮肖特基二极管(DUV LED)，并集变成了由p-GaN/本征GaN/n-GaN (p-i-n GaN)形式结构的乘性光电公司转移器(MPC)，以诱发电光转移，为了极大提升 空穴传递有效率。

此种p-i-n GaN构成**依据吸附DUV光，并且生成电子器件空穴对，为了空穴净增器的效果。

在p-i-n GaN组成中，开学成的手机-空穴对**被交变电场合在一起，使好几个空穴被控制到好几个量子阱中，**驱动了反射结合，因而保持了21.6%的高壁塞高效率(WPE)。

与传统文化的DUV led相比之下，WPE资料了60倍。本文作者所演示讲解的单支集成型政策为搭建**会亮集成电路芯片带来了了策略。

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