在单一个一体化块上实现目标几个配件的立式单支一体化已然加入排解材料和初中热学耐热性的核心上限的另一种有发展方向的方式 ，使用一体化防止规划，出示了借助其专一性初中热学性质的独特性成功，以**改善配件耐热性。

在，公司设定新一种深UV紫外线荧光整流二极管(DUV LED)，并集变为由p-GaN/本征GaN/n-GaN (p-i-n GaN)格局组成了的乘性光电子装换器(MPC)，以诱导型电光装换，可以有很大的提生空穴流入错误率。

这个p-i-n GaN形式**经由消化DUV光，以后所产生电子厂空穴对，实现空穴培增器的功能。

在p-i-n GaN空间结构中，再生成的微电子-空穴对**被电磁场分不开，使俩个空穴被驱动器到俩个量子阱中，**推进了影响pp，关键在于保持了21.6%的高壁塞效果(WPE)。

与传统型的DUV led相信，WPE增加了60倍。今天所亲身演示的单面融合方案为开放**夜光元器展示 了理念。

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