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酞菁|改善动力学的酞菁钴修饰BiVO4光阳极的光电化学水氧化
发布时间:2022-02-10     作者:酞菁   分享到:

确认调整CoPc(NH2)4阻抗量,调优了CoPc(NH2)4/BiVO4和好崔化剂的光电产品化工(PEC)水氧化的吸附性。

在9个阳光直晒照射下,SEO后的2CoPc(NH2)4/BiVO4光电子公司电极片在1.23 V / RHE下的**光电子公司流相对密度为3.02 mA/cm2,区别是纯BiVO4、1CoPc(NH2)4/BiVO4和3CoPc(NH2)4/BiVO4的2.7、1.6和1.4倍。

伴随CoPc(NH2)4与BiVO4的携手帮助,增进了生理反应运转学,然而增进了PEC的水氧化的机械性能。

本调查体现了,符合离子液体剂中来源于一种**的CoPc(NH2)4溶度,以**局限性地改善PEC的分水特点,重点了CoPc(NH2)4过载量对析氧反应迟钝的干扰。

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