以DMF为溶剂，用ITC法合成了钙钛矿CH3NH3PbBr3单晶光电材料。

用x射线衍射法测定了光电材料CH3NH3PbBr3单晶的结构。

用HRTEM和SEAD对光电材料CH3NH3PbBr3单晶形貌进行了测定，结果表明，所制得的CH3NH3PbBr3单晶结晶度良好。

主要包括金属电极会发光字广告（CL）和光致会发光字广告（PL）两种方式的方法对其磁学性能参数实施了研究方案。

探讨了依据CH3NH3PbBr3多晶硅的光電检测器的光電安全性能。

集成电路芯片的**出现异常的率约为0.67 A/W，观测器的光电材料流出现异常的日子攀升时为200 ms，骤降时为250 ms。

最终意味着，CH3NH3PbBr3单晶体兼备一望无垠的光電电子元件APP行业发展前景。

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