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光电材料|Tm掺杂对In2S3量子点发光、光电性能和电子结构的影响
发布时间:2022-02-07     作者:光电材料   分享到:

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然而,具有光电子结构可控的硫化铟光电材料(In2S3)量子点(QDs)的设计和合成仍然是一个挑战。

本论文用于液固化学工业岩浆岩法结合了掺铥的In2S3量子点。

In2S3: Tm QDs的荧光硬度有非常大的的不断增强,这需要进行可以调节Tm3+铁离子的添加氧浓度来调控。

研究了In2S3: Tm量子点的光电材料特性,结果表明,In2S3: Tm量子点具有较高的光灵敏度、较短的响应/恢复时间和较长的稳定性。

此外,根据**性原理计算,In2S3: Tm量子点光电材料结构的变化和光学性质的增强主要归因于Tm3+离子的掺杂。

组成的In2S3量子点有较好的变色功效方面和微电子功效方面,有希望在光伏太阳能、微电子和感知器等区域能够得到常见的选用。

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原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

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