3,6-二叔丁基咔唑基小分子主体/TADF材料(t-BuCz-m-NPBI和t-BuCz-m-2NPBI)的定制合成
科技研究分析的人员规划分解一堆系3,6-二叔丁基咔唑基小碳原子依据/TADF物料,并对其性温质、光物理防御与光电技术优点等完成了机系统的研究分析。
在3,6-二叔丁基咔唑基团上引入苯并咪唑单元,设计合成了两种新型的小分子主体材料t-BuCz-m-NPBI和t-BuCz-m-2NPBI,二者合成简单、易纯化,具有高热分解温度(352 ~oC、426 ~oC,1%失重)与T_g(137 ~oC、186 ~oC)等优点。
在前期工作基础上,我们选取了溶解性相对更好的t-BuCz-m-NPBI作为主体,Ir(MDQ)_2(acac)为客体,利用喷墨打印,制备了掺杂型红光磷光器件。研究了两种结构不同的空穴传输层材料对于电致发光器件性能的影响。
以PVK有所用于空穴发送层时,器材的电压量错误率(CE)和透明度分別为为2.5 cd/A和1262 cd/m~2;而当TFB有所用于空穴发送层的器材中,电压量错误率和透明度分別为做到10.8 cd/A和3277cd/m~2。更改空穴高速互传数据层使电子元器件使用率**提升,这可以是而是不同于于PVK,TFB看作空穴高速互传数据层具有着会高的空穴高速互传数据浓度,且和相关的空穴传递的原材料PEDOT:PSS的HOMO能级差更小,能级更加配比。