来源于热更改密码超时荧光的原装修素材(TADF)和聚合诱惑会亮(AIE)这二者的原装修素材的不一性状,紧密联系更具AIE性状的无机类化合物和更具TADF性状的无机类化合物,构思颇具AIE和TADF机械性能的创新型有机会会亮的原装修素材。种的原装修素材这样不仅彻底解决了以往会亮的原装修素材的ACQ因素,也还破除了以往会亮的原装修素材激子进行率25%的局限,为控制**的电致会亮元器件封装提供了一种可靠途经。咔唑更具太好的空穴传导作用,二苯甲酮有的是种实用的多巴胺受体模块。

通过改性Ullmann偶联反应、亲核加成、氧化反应等方法设计合成了以咔唑为骨架,二苯甲酮为受体,9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶为供体的D-A-D'型AIE-TADF分子DCPDAPM。该结构通过元素分析,NMR光谱和质谱进行了详细表征。

此外,还系统地研究了DCPDAPM的电子构型,热稳定性,光物理和电化学性质。研究结果表明,DCPDAPM的扭曲构象可以降低π-π相互作用和ACQ效应,小的ΔE_(ST)确保了RISC过程的实现证明了TADF属性的潜力。

再者,该单质在有所不同THF/水比饱和溶液中的光致亮光个人行为也核实了其AIE反应。

通过测试DCPDAPM的荧光和磷光光谱,估算得到了固态下DCPDAPM小的ΔE_(ST),其次,还通过测试该化合物的氧敏感性和温度依赖性进一步证实了它的TADF特性。

总之,DCPDAPM是非常适合应用于发光器件的新型AIE-TADF材料。

制造了基于DCPDAPM作为发光层的非掺杂器件A和按不同比例掺杂于CBP中的器件B、器件C和器件D。并全面地测试和研究了它们的电致发光(EL)性能。其中,非掺杂器件A的亮度为123371 cd m~(-2),电流效率为26.88 cd A~(-1),功率效率为15.63 lm W~(-1),外量子效率为8.15%。掺杂6%的器件B的亮度为67875 cd m~(-2),电流效率为40.68 cd A~(-1),功率效率为25.55 lm W~(-1),外量子效率为13.31%。

掺入10%的集成电路芯片C的透明度为89010 cd m~(-2),工作电流值利用率为50.14 cd A~(-1),工作效应利用率为31.49 lm W~(-1),外量子利用率为16.18%。掺入20%的集成电路芯片D的透明度为116100 cd m~(-2),工作电流值利用率为61.83 cd A~(-1),工作效应利用率为40.45 lm W~(-1),外量子利用率为19.67%。某些检测最后介绍,非掺入和掺入集成电路芯片都行为 出了**的EL耐热性。

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