后向自然光谱法和沟道法探讨了氮化镓的架构和单晶体水平。采用了金属件-巧妙气相色谱仪本质法在蓝红宝石上发芽。将不一样的正离子能力和的用药量的H+、He+、N+进入GaN中。对植入性退回火参与了研究探讨。采用霍尔测试，各位看见某些溫度降温后电阻器率加强了7-5个人数级，H+、He+和N+的简化降温溫度区分约为200-400℃。如果在600-700℃热处理后，内阻率仍要很高。我们的人为，氮化镓检样的电阻器率发展是由空位和植入广告的放射学性损坏激发的。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

塑炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉促使建材(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

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