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两个“十字”型D-A-D结构橙红光到红光TADF材料TPA-APQDCN和TPA-DBPDCN设计与合成
发布时间:2022-01-15     作者:zhn   分享到:
在在这之前几年底,针对蓝光和绿光的TADF-OLED功率集成电路芯片开始提前符合了30%的外量子使用率(External Quantum Efficiency,EQE),虽然有的功率集成电路芯片特点开始远超磷光功率集成电路芯片的质量。以至于,都要制作创新型光学元元件感觉,利用注入不一样的光学元元件给体来调节作用其氧分子格局与光电学特点来刷快**的OLED功率集成电路芯片的使用性能。

基于喹喔啉衍生物电子受体设计的**热活化延迟荧光材料体系,具体内容如下:在**章中,采用三苯胺作为电子给体、二氰基取代喹喔啉作为的电子受体,设计并合成了两个“十字”型D-A-D结构橙红光到红光TADF材料TPA-APQDCN和TPA-DBPDCN

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基于这两个材料制备了不同掺杂浓度的器件,它们的较优掺杂浓度都是10 wt%,其中TPA-DBPDCN为客体制备的掺杂器件电致发光峰位为648 nm,CIE色坐标为(0.66,0.32),是标准的红光发射。其EQE_(max)为13.0%,CE_(max)为6.3 cd A~(-1),PE_(max)为5.5 lm W~(-1),但是在高电流密度条件下,表现出了严重的效率滚降,在1000 cd m~(-2)的亮度时,器件的EQE只有1.1%。

TPA-APQDCN的掺杂器件电致发光峰位为610 nm,CIE色坐标为(0.59,0.41),是橙红光发射。TPA-APQDCN掺杂器件的效率达到了目前已知报道的橙红光TADF器件高水平,其EQE_(max)超过30%达到了31.3%,相应的CE_(max)为49.8 cd A~(-1),PE_(max)为59.0 lm W~(-1)。

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同样是的,在高直流电压体积的条件下展示出了可怕的使用率滚降,在1000 cd m~(-2)的色温时,电子元件的EQE仅仅2.7%。


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小易zhn2022.01.15