如今，聚集地引诱推迟了荧光（AIDF）是摆脱热启用推迟了荧光（TADF）发器被限的最有潜能的办法。

在此，为了开发**的 AIDF 发射器，提出了一种将咔唑枝晶引入强化电子受体以构建 D-π-A 结构的新策略。两种发射体，即二苯基(4-(4-苯基-6-(4-(3,3″,6,6″-四叔丁基-9′H-[9,3′:6′,9″) -tercarbazol]-9'-yl)phen yl)-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl) 氧化膦 (CzTAZPO) 

和二苯基 (4-(4-phenyl-6-(4-(3, 3″,6,6″-四叔丁基-9′H-[9,3′:6′,9″-tercarbazol]-9′-yl)phenyl)-1,3,5-triazin-2合成了具有扭曲咔唑枝晶结构的-基）苯基）氧化膦（sCzTAZPO）

并进行了理论和实验研究。

两种化合物都显示聚集诱导的发射，突出的 TADF 和双极特性。合理的分子设计策略使 CzTAZPO 同时表现出高振荡器强度 (f) 和小的单重态-三重态能隙 (ΔEST)，显着提高了逆系间交叉过程的速率和荧光量子效率。

高性能非掺杂 OLED 采用 CzTAZPO 纯薄膜作为发射层制造，可提供出色的**电流效率 (CEmax) 和**外量子效率 (EQEmax)，分别为 29.1 cd A-1 和 12.8%。

更至关重要的是，非掺入 OLED 从1000 cd m-2 时的 EQE 滚降就可以忽略掉不计入，仅为 1.6%。体现了小 ΔEST、高光粉致变色量子成品率 (ΦPL) 的 AIDF 使用器。

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