与ITO玻璃基板表面涂层、固体酞菁40 - 50纳米的颗粒大小是通过真空热蒸发,和纳米线的横截面积~ 5 - 7纳米厚度的100海里被gradient-temperature气相沉积的方法合成。

在光谱分析分析所以位置内侧量了吸收能力光谱分析分析。

发现的观察扩大乐队和山峰的转变在Q -和B-ranges酞菁纳米线的吸收光谱与这一事实相关联的分子纳米线相比更密集的电影通过热蒸发,在分子结构间的双方效应，

患者的光学玻璃特性变得更加麻烦。配制了ITO/MPc/Al電池在光电子物理学估测。

在测量了固状透气膜和nm线的I-V特征。结果表明，纳米线中酞菁的I-V特性**值增加了1.5倍，开路电压增加了0.1 V。

检测的了电位差谱。最终结果是因为，与无水硫酸铜溥膜好于，奈米线的**最低值自由度程延长(10倍以内)，包覆电阻功率减少(基本上多个总数量级)，导电率延长。

探索导致要用于解决复合材料早上的太阳電池、有机质电致荧光集成电路芯片的电输运基本特性，还有开荧光电产品子集成电路芯片的铭感电气元件。

较多推存：

cas:150485-60-2|5,9,14,18,23,27,32,36-八丁氧基-2,3-萘酞菁钯 (II)

cas:757940-49-1|1,4,8,11,15,18,22,25-八丁氧基-29H,31H-酞菁磷(IV)

四叔丁基酞菁硅水合物|CAS号: 85214-70-6

二氧化反应硅包复菁颜料壳核型微米颗粒肥料

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