提出了一种用于光电材料的光电转换传感器件的深势垒硅结构的创新应用。

祥定义析了光伏系统换能器构建对水盐溶液中表皮抗逆性剂包含的合金金属和半导体技术单壁碳奈米管实施判别的最主要应该性。

用局域静电对光电材料硅表面复合中心参数的影响定性地解释了所得结果。

这些印象有机会与界面可溶性剂第十二烷基苯磺酸钠(SDBS)在微米管界面过滤团伙的偶极矩业内。

此外，在光电材料硅表面缺陷附近会出现带电碎片的空间构型。

碳奈米技术管设别的另外一只个概率原故是根据复合和半导体行业奈米技术管的极化率其他。

许多结果显示在史蒂文森-凯斯的按理来说架构设计内获取了解释。

学习后果用于为有效控制和挑选有差异导电性碳纳米级管的根据。

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