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光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响
发布时间:2022-01-07     作者:光电材料   分享到:

采取较低温度溶液热法冶备了一般粒级为4.4 nm的ZnO量子点。

以ZnO QD溶剂为原石,选取平移汽车镀膜水平制法了ZnO QD聚酰亚胺膜,并分別在250、350和450℃退火处理。

跟随退火处理体温变高至450℃,ZnO的分別晶粒大小规格和还能带隙区分由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV增多和增加。

光致夜光分折反映,包覆机ZnO保护膜和250℃退火处理的ZnO保护膜中具有高比热容的氧空位;那些缺点在高温增大到350和450°C时抑制。

复合膜的光电公司能力受晶体长度和复合膜中通病的导致很大的。

伴随高温上升到450℃,光暗电流大小比(PDCR)从3723大大减少到371%,而没有响应率从1.25多到218 mA/W。

as耐磨涂层和250°c去应力退火的膜是由于其更广的单单从表面与重量比,在PDCR、增长时段间隔和下调时段间隔上体现了更有效的光反映,使其变成了钙钛矿地球能电池组中的电子器件传送数据层。

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