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光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响
发布时间:2022-01-07     作者:光电材料   分享到:

通过温度低稀释剂热法制建设备了一般粒级为4.4 nm的ZnO量子点。

以ZnO QD盐溶液为奶茶原料,通过360度旋转镀一层薄薄的膜枝术提纯了ZnO QD贴膜,并对应在250、350和450℃降温。

伴随热处理回火湿度身高至450℃,ZnO的均匀晶粒大小外形尺寸和可带隙各用由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV变大和减小或增大。

光致会发光探讨证明,包覆机ZnOpetbopp薄膜和250℃热处理的ZnOpetbopp薄膜中存有高体积密度的氧空位;那些常见问题在温度表偏高到350和450°C时抑制。

透明膜的光电科技功效受晶体尺寸规格和透明膜中问题的关系很大的。

伴随着热度增大到450℃,光暗电压电流比(PDCR)从3723大幅度降低到371%,而加载失败率从1.25加剧到218 mA/W。

as表层和250°c退火工艺的聚酯薄膜因为其大的外表与质量分数比,在PDCR、回升周期和减低周期多方面含有非常好的光加载,使其变成了钙钛矿日光能电池充电中的自动化高速传输层。

多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

加硫铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化剂的作用村料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

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