光电材料|Fe-Co共掺杂g-C3N4的光电性能研究
通过实验和**性原理制备了光电材料Fe、Co和Fe-Co共掺杂的g-C3N4,研究了其掺杂机理和光电性能。
光电材料FTIR、XRD和模拟结果表明,掺杂g-C3N4的C-N结构被拉伸并形成高度共轭的体系,Fe、Co和相邻N原子之间的离子相互作用较强,导致较不明显的(0 0 2)择优取向。
UV-DRS和防真最后反映出,Fe-Co codoped g-C3N4极具最好的代谢等光学薄膜性能指标,光电子导性是由于铁和钴掺入物,如浅施主常见问题,使价带移动手机到较低的能量是什么(红移)。
这机会意示着的不确定的APP发展趋势近UV紫外线和可看见光磁学pcb板。
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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物
塑炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化反应村料(FeTCPP/PbS)
cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)
原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7
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