具备着热滋养推迟荧TADF特征的并衍生物PIC-TRZ2,4CzTPN-Ph,2CzPN在配件中的荧光磁负效应

热纯化超时荧光(TADF)电子元件中,3线态激子能够吸收的作用区域熱量经由反相系间窜越(RISC)转换成为单线态激子为了听到超时荧光,可望进行100％的内量子错误率.为揭露TADF电子元件中电致变色的微观世界逻辑,

选取4CzTPN-Ph,2CzPN,PIC-TRZ2三种不同带隙的TADF材料制成有机发光器件,测量并分析器件的电致发光磁效应(MEL).

研究发现,尽管这几种TADF器件4CzTPN-Ph,2CzPN,PIC-TRZ2具有增强发光的RISC过程,但它们的MEL曲线却表现出与不具有RISC过程的普通荧光器件相似的线型,这是由于外加磁场只影响极化子对间的超精细相互作用,而并不影响激子间的系间窜越与RISC过程.

虽然,某些TADF电子元器材的磁因素频率却会随加入电压的加剧而变强,成绩出与普普通通荧光电子元器材反过来的毕竟,电压对四线态激子的生成传输时延kt和单线态激子的生成传输时延ks的相比导致(kt/ks)被来定义了某一反常毕竟.

氰基类的热激活延迟荧光材料

TADF产品2CzPN、4CzIPN 和4CzTPN-Ph

兼备高四线态能级的TADF-OLED要素资料PzCz

CzTPN

TADF大分子DCzDCN

TADF原子DDCzIPN

四角构型的TADF涂料3DPA3CN

白色TADF原子CPC

蓝色TADF分子3CzFCN和4CzFCN

蓝光的TADF大分子BFCz-2CN和BTCz-2CN

TADF原子4CzBN、4TCzBN、5CzBN和5TCzBN