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基于二苯甲酮和咔唑的小分子TADF材料DBT-BZ-Cz,DFT-BZ-Cz,DBT-BZ-Br,DFT-BZ-Br,2DBT-BZ-2Cz和2DFT-BZ-2Cz
发布时间:2021-12-30     作者:zhn   分享到:

研究背景二苯甲酮和咔唑的小大分子TADF物料DBT-BZ-Cz和DFT-BZ-Cz 


DBT-BZ-Br、DFT-BZ-Br、DBT-BZ-Cz和DFT-BZ-Cz

有科研人员设计合成了两个基于二苯甲酮和咔唑的小分子TADF材料DBT-BZ-Cz和DFT-BZ-Cz,通过系统的研究发现DBT-BZ-Cz和DFT-BZ-Cz具有**类似的热力学、电化学和光物理性能。

两个化合物DBT-BZ-Cz和DFT-BZ-Cz作为延迟荧光蓝光材料(λPL分别为472 nm,470 nm),具有良好的热力学稳定性(Td分别为339℃,329℃)。

源于DBT-BZ-Cz提纯的非参杂型电子元件,放光透明度为2349 cd/m2,电流大小和电率学习的效率不同为0.96 cd/A和0.79 lm/W,外量子学习的效率为0.64%。

对于DBT-BZ-Cz制得的参杂型集成电路芯片,发光字对比度为2560 cd/m2,直流电压和有有效率有有效率分辨为3.46 cd/A和2.58 lm/W,外量子有有效率为2.31%。

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有教育科研考生设计合成了两个基于二苯甲酮和联咔唑的小分子AIE-TADF材料2DBT-BZ-2Cz和2DFT-BZ-2Cz,

AIE-TADF材料2DBT-BZ-2Cz和2DFT-BZ-2Cz分子具有较小的EST(0.089e V,0.076e V),同时它们也具有良好的热力学稳定性(Td分别为536℃,525℃)。

基于2DBT-BZ-2Cz制备的非掺杂型器件,发光亮度为3923 cd/m2,电流效率为2.50 cd/A,功率效率为1.78 lm/W,外量子效率为0.91%,CIE为(0.32,0.41)。

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