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光电材料|离轴4H-SiC晶体基面上位错同步x射线形貌图像的表面弛豫和光电吸收效应
发布时间:2021-12-29     作者:光电材料   分享到:

研究背景放放射性元素追迹原理图,保持了比较繁复的模以仿真模型,模以了离轴4H-SiC多晶体中基表上位错的掠射云同步x放放射性元素形貌做对比,是指基表上位错、偏转内螺纹位错和搭配位错。

该三维模型综合性了表面上弛豫反应和微电子融合反应来预估位错评测。

与民俗的放射线探测图相不同于,外面弛豫效果判断了晶面左右衍射的位错进行对比。

是由于光电产品吸引反应,渐渐衍射光柱在硫化锌内部位的深入增添,模拟训练位错比照度开始下降。

用**融入强度整合拥有的净仿真位错形象的**基本特征英文与工作地势形象上观察分析到的进行对比基本特征英文有特好的有关于性。

深浅定量分析彰显,在些情況下,来源位错上方区城的衍射x放射线需要能提供现在沒有要充分考虑的加倍相比特征英文。


许多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

加硫铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化反应文件(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7


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