拓补疵点对游离于基H2Pc和两种类型二维金属材料ip产业物（CuPc和ZnPc）与石墨稀薄片型号完美的作用的相结合难度、立体几何形态和电子器材技术指标的影晌。

将含带敌视五边形（5）、吡啶基（5665）和Stone-Wales （SW）弊病的聚类分析类别与无弊病的石墨烯材料类别（G）的DFT统计数据做了较为。

石墨烯材料的表面的拓扑的结构的结构对通畅为立体图的酞菁团伙的样式有太强的应响。

在原始和含SW缺陷的模型上，石墨烯大环总体上保持平坦，但在大多数情况下，孤立的五边形缺陷和吡喃基单元的存在会导致酞菁体系的强烈畸变，从而增加其与石墨烯片的接触面积。

最终得以能提供了两大类类物质间更**的π-π沉积使用。

在碗形5和5665纳米技术团簇的症状下，“endo”粘附剂的经济波动环变异比“exo”粘附剂的经济波动环变异更严重;反出去，5665技术参数的曲度更尖锐的，更强。

所有的钻研的密切配合物的非共价键都很大，按5665_exo ＆lt;5_exo ;＆lt;5665_endo ＆lt;G ＆ lt;中南。

较多推存：

cas:150485-60-2|5,9,14,18,23,27,32,36-八丁氧基-2,3-萘酞菁钯 (II)

cas:757940-49-1|1,4,8,11,15,18,22,25-八丁氧基-29H,31H-酞菁磷(IV)

四叔丁基酞菁硅水合物|CAS号: 85214-70-6

二空气氧化硅包塑菁颜料壳核型nm颗料

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