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光电材料|Bi3+掺杂对ZnO薄膜微观结构和光电性能的影响
发布时间:2021-12-28     作者:光电材料   分享到:

采用溶胶-凝胶旋涂技术成功地制备了光电材料铋掺杂ZnO (BZO)薄膜。

通过扫苗光智能器件散射电镜(SEM)、消耗的能量反射率光谱仪(EDS)、散射光智能器件散射电镜(TEM)、选定 性城市光智能器件衍射(SAED)高技术和光致变色(PL)研究探讨了密度对塑料膜微电子机械性能的直接影响。

结果表明,成功将光电材料Bi3+掺杂到ZnO晶格中可以产生更多的光致载流子。

随着掺杂率的增加,薄膜的晶粒尺寸减小。1% Bi3+掺杂BZO薄膜的光电流比纯光电材料ZnO薄膜高25%。

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大多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

加硫铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉离子液体的材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7


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