科研项目人士保证了选用咔唑基二氰基苯 (CDCB) 建筑材料的装修设计制约，这时一两个由两个部分成小组成的系统的，

即咔唑是供体第一单无和二氰基苯是蛋白激酶第一单无，二者相互之间错位，造成 HOMO 和 LUMO 高斯模糊化对应在每种这部分上考察到小的 Δ E ST。TADF建筑材料是指2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph，可以通过减轻驱程直流电压来改善机械设备的输出功率工作效率。

所以，Seino几人。要采取4CzIPN建立一位方案有载流子和激子受限制及其出于激基结合物的体力转回的元器件封装，以建立体现了不超 100 lm W -1的高热使用率使用率的翠绿色 OLED 。这样的性能方面可与带有铱基放光材料的 PHOLED 相堪比。

Masui在2CzPN 中凸显出 S 1和 T 1 –T n吸收能力间的看起来光谱图重重叠叠，这在显得单线态激子黏度的情况下下讲解了应用于 STA 和 TTA 长效机制化的激子猝灭长效机制化负责任显得的外链量子利用率 ( η EQE ) 滚降举动。

Kretzschmar宋江因。从流行时尚的 TADF 荧光团4CzIPN和4CzTPN开启，具象化出单和二卤代具象化物，最终是低单线态 - 3线态空隙为 ~0.04 eV（实验室确认），荧光使用寿命与可能重-卤化物的原子核效果。未报告书设配数据报告。

在 TADF 机械中探究到的工作平衡性减小将会是主要是因为长耐用度的什么是四大态卡路里植物物种会造成了不要有的化学物质不起作用。加入辅助性夹杂着剂的大ķ ISC〜10 6，4CzIPN-ME，甚至一些试射材质2,8-二[吨丁基] -5,11-二[4-（吨-丁基)苯基]-6,12-二苯基萘 (TBRb) 犹豫在层面seo的质量浓度购买线态提升的4CzIPN-Me和 TBRb互相的 Förster 精力传递，往往可TTA 。含盖辅助的夹杂剂的电子器件表示出更长的操作期限（曝光度变低到初始值曝光度的 0.5 的周期）。

过去的依托于 TBRb 的 OLED 元器件封装的使用年限为 5 小时左右，依托于4CzIPN-Me的 TADF 器材为 1472 小時，内含辅佐夹杂剂的 TADF 器材（称作 TAF 器材）为 3775 小時。之所以是可以施用具备有更短四重态期限的辅佐荧光团来构建平衡装置稳定可靠性。

表 2 整合物和枝干状咔唑基 TADF 卫星发射体

分类	发送器	环保设备几何的	关闭 (V)	L cd m -2	CE (cd A -1 )	PE (lm W -1 )	情商 (%)	CIE ( x , y )	HOMO (eV)	LUMO (eV)	(nm)	电滋 (nm) (QY)	电磁炉 (nm) (TF)	E S 1 (eV)	ë Ť 1（eV）的	Δ E S–T (eV)
L：色彩饱和度；CE：电流值使用率；PE：电源模块学习效率；EQE：外量子高效率；TmPyPB : 3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)-苯基][1,1':3',1''-三联苯]-3,3''-二基]双吡啶；TPBI : 1,3,5-三( N-苯基苯并咪唑-2-基)苯；Ca钙; Cs 2 CO 3碳酸铯；Liq 8-羟基喹啉锂。																																																																全国政协	ITO/PEDOT:PSS (50 nm)/PAPTC 或 PAPCC (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	3.0	554	3.6	3.67	1.34	0.25, 0.47	-5.38	−2.57	—	472  (9  )	487 (8)	—	—	—
PAPTC	2.6	10 251	41.8	37.1	12.63	0.30, 0.59	-5.33	−2.77	—	510  (22  )	510 (28)	—	—	—
李宋江因。	pCzBP	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/10 wt% pCzBP:TCTA:TAPC 结合物 (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm)	6	5100	24.9	9	8.10	0.28, 0.43	−5.41	−2.76	307, 361	472 (28)	508 (23)	—	2.69	0.18
枝条状 TADF 卫星发射器
阿尔布雷希特抓捕。	G2TAZ	ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/GnTAZ (35 nm)/TPBI (40 nm)/Ca (10 nm)/Al	3.3	—	—	—	2.40	0.251, 0.493	−5.76	−3.01	—	—	—	2.77	2.74	0.03
	G3TAZ		3.5	—	—	—	3.40	0.266, 0.485	−5.72	−2.97	—	—	—	2.79	2.74	0.06
	G4TAZ	与可以达到是一样的的环保设备立体几何设计	3.5	—	—	—	1.50	0.232, 0.368	−5.68	−2.8	—	—	—	2.86	2.79	0.06
李抓捕。	CDE1	ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/CDE1（配件 A1–A4）或 CDE2（配件 B1–B4）(70 nm)/TPBi (40 nm)/Liq (2 nm)/Al	4.8	>10 000	—	—	12	0.38, 0.56	−5.12	−2.54	289, 299, 349	—	520 (77)	—	—	0.11
	CDE2		7.7	>10 000	—	—	5.2	0.32, 0.51	−5.25	−2.69	289, 298, 348	—	499 (75)	—	—	0.15
罗抓捕。	CzDMAC-DPS	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/EML (40 nm)/TPBI (40 nm)/Liq (1.6 nm)/Al (100 nm)	4.0	—	30.6	24	12.2	0.22, 0.44	−5.24	−2.31	240, 299, 349	498	492	2.95	2.86	0.09
	DCzDMAC-DPS		5.4	—	3.8	2	2.2	0.18, 0.27	−5.18	−2.09	240, 299, 349	484	464	3.07	2.87	0.2
孙宋江因。	TA-Cz	ITO/PEDOT:PSS/TA-Cz 或 TA-3Cz/TPBI/Cs 2 CO 3 /Al	2.6	25 085	18.2	14.3	5.5	0.41, 0.54	-4.95	-2.31	238, 264, 295, 347, 408	591	56	2.49	2.33	0.17
	TA-3Cz	与以上同的机器设备爆发结构类型	2.4	23 145	39.0	40.8	11.8	0.39, 0.56	-4.92	-2.28	238, 263, 295, 341, 408	541	71	2.5	2.29	0.2

表3 用做TADF的咔唑基客体装修材料

分类	有机化合物	热重（℃）	Ť 克（℃）	HOMO (eV)	LUMO (eV)	λ (nm)	λ Fl (nm) (QY)	ë Ť 1（eV）的	È 克（eV）的	火箭发射器	装置图形	启闭 (V)	CE (cd A -1 )	PE (lm W -1 )	情商 (%)	CIE ( x , y )	L (cd m -2 )
CE：电压电流使用率；PE：电原学习效率；EQE：外量子工作效率；L：光亮度；TAPC：4,4' - （环己烷-1,1-二基）双（Ñ苯基Np个-tolylaniline）; TCTA：N，N，N-三(4-(9-咔唑基)-苯基)胺；TmPyPB：1,3,5-三（米-吡啶-3-基苯基）苯; α-NPD：4,4'-双[ N- (1-萘基) -N-苯基-氨基]联苯；TSPO1：二苯基氧化的膦-4-(三苯基甲硅烷基)苯基；TPBi: 2,2',2''-(1,3,5-苯三基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]；DPAC-TRZ 10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；MoO 3：三氧化物钼；Poly-TriCz：三咔唑合成树脂物；mCPSOB : 3,5-二(咔唑-9-基)-1-苯基磺酰基苯；HATCN：二吡嗪并[2,3- f :2',3' - h ]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；NPB：N，N'-双(1-萘基) -N，N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺；DPEPO：双(2-(二苯基膦)苯基)醚阳极化合物；苯酚：4,7-二苯基-1,10-菲咯啉。2CzPN : 4,5-二(9 H-咔唑-9-基)邻苯二甲腈；4CzIPN : 1,2,3,5-四(咔唑-9-基)-4,6-二氰基苯；CzTPN : 2,5-双(咔唑-9-基)-1,4-二氰基苯；4CzCNPY : 2,3,5,6-四咔唑-4-氰基吡啶；DPAC-TRZ：10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；DMAC-DPS：双[4-(9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶)苯基]砜。																																																																邻-CzCN	350–440	94	−5.74	−2.16	295，328，341	403	3.01	3.58	2CzPN	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/TCTA (5 nm)/host:2CzPN (4 wt%, 20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) )	5.1	29.23	18.36	14.52	0.17, 0.23	2746
m- CzCN	350–440	121	−5.62	−2.14	296，329，344	403	2.81	3.48	4.8	26.37	16.56	14.98	0.17, 0.26	4992
p- CzCN	350–440	140	−5.59	−2.16	296，332，343	406	2.77	3.43	3.8	14.41	11.12	8.10	0.17, 0.28	7856
李等等。	o -CzDPz	333	70	−5.69	−2.16	293、327、340	397	3.02	3.53	4CzIPN	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/主：5 wt% 4CzIPN (20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm)	4.8	39.6	23.7	13.7	0.26, 0.54	12 780
	m- CzDPz	350	83	−5.63	−2.13	293、326、341	403	2.83	3.5	4CzIPN		4.5	37.5	22.0	12.1	0.30, 0.57	24 050
	3-CzDPz	378	89	−5.61	−2.21	288, 348	380	2.78	3.4	4CzIPN		3.8	41.1	32.2	13.3	0.31, 0.58	19 890
	米CPDPz	434	140	−5.67	−2.15	292、326、340	407	2.76	3.52	4CzIPN	与这些不同的设配图形的结构	4.9	37.9	19.8	13.1	0.22, 0.49	12 130
西本等。	锆石	474	—	−6.4	−2.5	287, 315	332	3.00	3.9	CzTPN	ITO/α-NPD (35 nm)/mCP (10 nm)/3 wt%-CzTPN:host (20 nm)/PPT (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm)	4.20	37.2	24.4	15	0.18, 0.45	—
Cho宋江因。	数据报告	—	—	−6.14	−3.26	236、251、280、291	427	2.71	2.88	4CzIPN	ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/DCzDCN:4CzIPN (3%, 25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 納米)	3	—	—	26.7	—	—
盖伊等。	微信朋友圈民众号	—	110	−5.8	−2.5	—	—	3.02	3.3	4CzIPN	ITO/MoO 3 (15 nm)/Poly-TriCz (50 nm)/mCPSOB:4CzIPN (25 nm)/TPBi (60 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	4.8	81	79	21.5	—	—
金和李	氢化物发生器CP	312	50–60	−6.1	−2.4	—	—	2.9	3.7	4CzIPN	ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/(mCP : BmPyPb 1 : 1):4CzIPN (25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1nm技术)/铝 (200 nm技术)	—	—	56.6	28.6	—	—
	铅酸铅	—	—	−6.4	−2.7	—	—	2.78	3.7			—	—	—	—	—	—
赵醉鬼。	o- mCPBI	400	130	−5.44	−1.86	324, 338	—	3.00	3.58	4CzIPN	ITO/MoO 3 (5 nm)/TAPC (65 nm)/host:guest (15 nm)/TmPyPb (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	3.4	60.4	42.0	18.5	0.27, 0.58	—
	m- mCPBI	394	124	−5.4	−1.84	324, 338	—	2.80	3.56	—		—	—	—	—	—	—
	p- mCPBI	429	141	−5.44	−1.89	324, 338	—	2.71	3.55	—		—	—	—	—	—	—
班抓捕。	TZ-Cz	382	96	−5.2	−2.31	236, 265, 295, 379	535，490	2.8	2.89	自宿主细胞使用器	ITO/PEDOT:PSS (25 nm)/TZ-Cz 或 TZ-3Cz (35 nm)/Cs 2 CO 3 (2 nm)/Al (100 nm)	40.00	20.0	—	6.5	0.24, 0.51	18 200
	TZ-3Cz	407	128	−5	−2.11	238, 263, 293, 379	535，487	2.8	2.89	自宿主细胞发器		3.60	30.5		10.1	0.24, 0.51	22 950
班等等。	tbCz-SO	380	80	−5.51	−2.32	235、265、298、350	475,440	2.91	3.19	自宿体释放出器	ITO/PEDOT:PSS/tbCz-SO 或 poCz-SO/TmPyPB/Cs 2 CO 3 /Al	5.1	4.0	—	2.6	0.16, 0.19	—
	POCz-SO	410	113	−5.6	−2.41	231, 278, 291, 348	475，458	2.90	3.19	自宿体放射器		6.1	10.5	—	6.2	0.18, 0.27	—
康几人。	ZDZ	—	—	−5.71	−2.19	294, 327, 341	378	2.94	3.51	2CzPN	ITO (50 nm)/HATCN (7 nm)/TAPC (75 nm)/2CzPN 6 wt% host (ZDZ or ZDN) (20 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1.5 nm)/Al (100 nm)	5.00	10.72	—	18.5	0.17, 0.34	3231
	ZDN	—	—	−5.72	−2.27	294, 341	378	2.92	3.45	2CzPN		4.70	14.29	—	25.7	0.17, 0.34	6366
曹醉鬼。	pCnBCzmme	447	141	−5.31	−2.18	298, 339	463  (51/63  )	2.69	3.13	4CzCNPy	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/(pCnBzmMe 或 pCNBCzoCF 3或 pCNBCzmCF 3 ):4CzCNPy (40 nm)/TmPyPB (60 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (100 nm)	3.2	27.8	16.8	8.8	0.31, 0.60	16 100
	pCNBCzoCF 3	400	165	−5.39	−2.47	289, 327	534  (13/20  )	2.64	2.92			3.7	26.5	13.4	8.0	0.32, 0.61	14 370
	pCNBCzmCF 3	402	134	−5.41	−2.45	285, 358	543  (43/55  )	2.64	2.96			3.3	26.4	13.5	8.0	0.33, 0.60	19 200
崔等等。	29Cz-BID-BT	—	—	−6.01	−2.55	270–300、325、340	360	3.02	3.46	DPAC-TRZ	ITO/HAT-CN (10 nm)/TAPC (35 nm)/host:10 wt% DPAC-TRZ (20 nm)/TSPO1 (10 nm)/TPBi (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (120纳米级)	—	—	—	20.8	0.16, 0.34	—
	39Cz-BID-BT	—	—	−6.07	−2.62	270–300、325、340	360	3.04	3.45			—	—	—	20.4	0.16, 0.34	—
丁抓捕。	9CzFDESPO	511	191	−6.07	−2.39	341、327、283、263、229	349, 366, 383  (49%)	3.0	3.68	DMAC-DPS	ITO/MoO 3 (6 nm)/NPB (70 nm)/mCP (5 nm)/9CzFxPO:DMAC-DPS (10%, 20 nm)/DPEPO (5 nm)/BPhen (40 nm)/LiF (1 nm) )/铝	3.50	31.3	28.1	16.7	0.15, 0.30	—
	9CzFDPEPO	474	211	−6.07	−2.52	341、329、281、228	349, 366, 383  (58%)	3.0	3.55	DMAC-DPS		3.50	25.1	22.4	13.2	0.15, 0.30	—