光电材料|MSe2/SnO2 (M = Mo,W)纳米复合材料的制备及其光电性能
结合理论计算和实验研究了光电材料MSe2/SnO2 (M = Mo,W)纳米复合材料的光电催化性能。采用密度泛函理论(DFT)计算研究了复合材料的电子结构。
与SnO2材料(1.070 eV)相比,光电材料MSe2/SnO2 (M = Mo,W)纳米复合材料的带隙值分别**降低到0.133和0.008 eV。
居群具体分析证明,上MSe2 (M = Mo,W)与层底SnO2之前的电荷量转出需要提升 SnO2村料的光电子崔化性。
因此,采用水热法合成了MSe2/SnO2 (M = Mo,W)纳米复合光电材料,并对其进行了XRD表征。采用氟掺杂锡氧化物(FTO)导电玻璃电沉积制备相应电极,测试其光电催化性能。
实验所最终结果表述,MSe2/SnO2 (M = Mo,W)纳米技术技术混合建筑原装修原材料的光电产品公司流各自为4.8和3.0 μA/cm2,电物理阻抗匹配均小于等于SnO2建筑原装修原材料。之所以,MSe2/SnO2 (M = Mo,W)纳米技术技术混合建筑原装修原材料是非常不错的光电产品公司促使建筑原装修原材料。

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