采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在SiO2（110）衬底上制备了光电性能可调的光电材料三元（In1-xAlx）2O3 （IAO）薄膜。

研究了不同In-Al含量x [Al/（In+Al）原子比]对光电材料IAO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。

XRD研究认为，由于In硫含量的大幅度降低，透气膜由**的立米In2O3组成转化为非晶相。

所有光电材料IAO薄膜均表现出**的光学性能，在可见范围内的平均透射率均超过84％。

当x数值0 ~ 0.9时，贴膜的电子光学带隙可从3.71 eV幅度调制到5.29 eV。随着时间的推移In含铁的调低，霍尔变更率和载流子酸度的降低，阻值率新增。

后果意味着，经由优化in - al类物质，是可以**地调高IAO复合膜的耐热性，故而可应该用于短光波长光电公司元件的制法。

多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

混炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化反应用料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

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