采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在SiO2（110）衬底上制备了光电性能可调的光电材料三元（In1-xAlx）2O3 （IAO）薄膜。

研究了不同In-Al含量x [Al/（In+Al）原子比]对光电材料IAO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。

XRD解析揭示，伴随着In含氧量的有效降低，透明膜由**的立方米In2O3的结构转为为非晶相。

所有光电材料IAO薄膜均表现出**的光学性能，在可见范围内的平均透射率均超过84％。

当x数值为0 ~ 0.9时，复合膜的光学反应带隙可从3.71 eV熬制到5.29 eV。跟随着In含磷量的减少，霍尔迁入率和载流子酸度增涨，电容率新增。

没想到体现了，实现更改in - al酚类化合物，可不可以**地转换IAOpe膜的功能，而使可使用于短主波长光电科技电子器件的制取。

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