二维过渡金属二卤族化合物（2D TMDCs）因其独特的性质被认为是下一代纳米电子和光电材料。

显然，消息的二维TMDCs的光電耐腐蚀性方面不同很多，造成 光電耐腐蚀性方面变现的因素尚不清晰。

本文作者研究分析了特征提取cvd植物的生长的WS2光学侦测器光学耐腐蚀性变换的生理机制。

的结果表达，主要采用CVD法能够 在蓝黄宝石衬底上发育厚度为100µm的四角形一层WS2。

显然，单面WS2就可以完成聚甲基亚克力 甲酯（PMMA）和聚二甲基硅氧烷（PDMS）当作中心体从蓝月亮石衬底变更到Si/SiO2衬底上。

氧夹杂着和加硫对cvd植物生长的WS2的光初始化失败性有**后果。

cvd生长的的2D WS2的光崩溃性这样不仅源于于氧参杂浓硫酸浓度，还源于于光可见光波长。

在本研究情况下，由cvd锻炼的WS2有纯氧。

混炼需要使cvd衍生的WS2的参杂氧有机废气浓度减小，而参杂氧需要使其扩大。

曝光的依托于cvd生長的WS2的光电公司公司检测器光电公司公司使用性能的差别的是由参杂氧化还原电位的差别的引起的。

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