采用电沉积方法在多孔硅（PS）光电材料上制备了排列良好的ZnO纳米花和纳米片。

利用反复的伏安法（CV）、工作电流计I-t （I-t）和引路电位差法对岩浆岩货物对其进行了研究方法。

x射线衍射（XRD）分析表明，PS光电材料具有较强的择优取向（1 00），扫描电镜（SEM）观察表明，该镀层由直径约100 nm的纳米花和纳米片组成，在纳米器件和纳米技术中具有潜在的应用前景。

因此，根据开路电位（OCP）的研究，在PS光电材料上生长的ZnO比硅晶片具有更大的光电效应，可以作为光电材料。

凭借分光光度计看得见分光光度计对印刷品开展了光学薄膜带隙量测，到了3.35 eV的带隙。

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