采用电沉积方法在多孔硅（PS）光电材料上制备了排列良好的ZnO纳米花和纳米片。

可以通过不断循环伏安法（CV）、直流电计I-t （I-t）和断路电势差法对堆积有机物确定了定量分析。

x射线衍射（XRD）分析表明，PS光电材料具有较强的择优取向（1 00），扫描电镜（SEM）观察表明，该镀层由直径约100 nm的纳米花和纳米片组成，在纳米器件和纳米技术中具有潜在的应用前景。

因此，根据开路电位（OCP）的研究，在PS光电材料上生长的ZnO比硅晶片具有更大的光电效应，可以作为光电材料。

灵活运用紫外线看得见分光光度计对供试品通过了光电器件带隙量测，取得了3.35 eV的带隙。

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