化学蚀刻与水热相结合制备的新型复合光电材料Cs4PW11O39Fe/Si（Cs4PW11Fe/Si）。

这种复合光电材料具有优越的光电性能。

得出的瞬时光電流密度计算公式为0.4 mA cm−2，**的表面光電压为0.043 mV，**IPCE为80.8％，远低于原始社会p-Si和Cs4PW11Fe。ITO/Cs4PW11Fe/p-Si/Ag的PCE为1.36％，Voc为0.78 V, Jsc为1.27 mA cm−2,FF为68.5％。

复合型光电材料Cs4PW11O39Fe/Si的光电性能提高源于材料表面的“乳突状”结构和n-Cs4PW11Fe与p-Si之间的p-n异质结的形成。

乳突状成分和p-n结有好处于增强光吸附，带动光生载流子的拆分和变更。

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