化学蚀刻与水热相结合制备的新型复合光电材料Cs4PW11O39Fe/Si（Cs4PW11Fe/Si）。

这种复合光电材料具有优越的光电性能。

能够的瞬时光电技术材料流高密度为0.4 mA cm−2，**表层光电技术材料压为0.043 mV，**IPCE为80.8％，远如果超过默认p-Si和Cs4PW11Fe。ITO/Cs4PW11Fe/p-Si/Ag的PCE为1.36％，Voc为0.78 V, Jsc为1.27 mA cm−2,FF为68.5％。

挽回光电材料Cs4PW11O39Fe/Si的光电性能提高源于材料表面的“乳突状”结构和n-Cs4PW11Fe与p-Si之间的p-n异质结的形成。

乳突状结构设计和p-n结有助于增大光吸收能力，推动光生载流子的分离法和转入。

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