多面体低聚倍半硅氧烷(polyhedraloligosils-esquioxane,POSS)构造长为1如下图所示,它由硅化物硅氧笼型组成部分和内层的设计基团R构造,R为的提升相溶性与增溶使用的有机化学基团,X为含有个个或几个可参与的汇聚反映的特异性基团。有机会三聚氰胺树脂杂化组成表明POSS的热能学和电化学规定性都达到强化,还具有优异的热不稳性、较高的钢化玻璃化转换环境温度、优异的位置不稳性和机械装备效果，方便职能化掩盖，将其当作核,构建体型大小比较大的侧基后,可使用在提纯光刻胶材料。有效POSS基团的光刻胶，建材抗蚀刻性更加强。

POSS光刻胶的最主要的种类

丙稀酸POSS光刻胶

将丙稀酸环己基接入使用到POSS上(如同2如下图所示)，光催化原理一堆种负性光刻胶,成为光产酸剂( photoacid generator,PAG),应用抵触光刻技术设备，经两束光波长为532 nm的干涉现象光曝料后,丙稀酸基团.

受酸催化反响之后发生热塑反响,经后烘、显影液等环节，荣获了鉴别率是300 nm、深宽之比10的图形图片,具体实施流程如图甲所示3如图所示

甲基丙烯酸酯酯-POSS光刻胶

甲基亚克力 酯类聚合反应物因为不错的半透性,常被用到193 nm光刻胶材质，而POSS基团在193nm处也没有吸纳,但是科研者将POSS基团连结到甲基丙烯酸酯酯的共聚物中,以提生光刻胶的耐蚀刻性,

重氮酮-POSS光刻胶

属于非检查是否涨幅型的正性光刻胶-重氮酮官能化的POSS。他们将POSS插进到重氮酮无机化合物中以明显增强光刻胶的热不稳性和结构力学能,利用重氮酮官能团在分光光度计灯光照下达生Wolff重排,产生一羧基基团,故而变了可溶性高，溶于水的度。制成行车路线如所示已知。CDEOPE POSS经深UV紫外线光曝光度后,不必后烘，就可以获取分别率有0.7 μm的图型

POSS极具保持稳定的納米笼形组成部分,可以选择作.光致抗蚀剂的减弱的原材料。包含的POSS节构的光刻胶兼有比较好的热不稳性、的空间和节构不稳性及体现的抗等正离子蚀刻性等的优势,所以说,POSS改性物料的汇聚物物料在光刻胶方向中具备良好的选用利润。

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八苯基笼状聚倍半硅氧烷

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八异丁基笼状聚倍半硅氧烷 Octaisobutyl POSS

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七十五七氟癸基笼状聚倍半硅氧烷poss

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八辛基笼状聚倍半硅氧烷

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80二烷基笼状聚倍半硅氧烷

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八氯化橡胶漆环己基乙基笼状聚倍半硅氧

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