近红外二区（PbS）量子点微电子子监测还具有广泛性应用于成相、通迅和生物体感测器等区域。市场上上的微电子子监测器主要是立于硅原食材和的III–V族半导体行业原食材，因为这个原食材要受到着着利润高，更易被动式化等困难。PbS量子点还具有带隙可手动调节比率宽（0.6~1.6 eV）、摩尔吸光因子高（106 M-1 cm-1），制得工艺设计比较简单与安全稳相关性好等优点和缺点，那么被相信是第五代人被动式微电子子监测器的出众侯选原食材。共有的一层PbS量子点微电子子监测器要受到着着漏工作电流大、打开比低、卡死进程慢等困难。都是通讯报道将铝合金纳米级塑料颗粒、巧妙原食材和石墨烯的材料等原食材与PbS量子点依照，形成了杂化型微电子子监测元件，所选技术**地增加了元件的卡死度，但也获得了无比高的暗工作电流等困难，可使元件的能没办法全部增加。那么，该怎样克服自己一层PbS量子点和杂化PbS量子点微电子子监测器要受到着的困难是个仍待化解的困难。

PbS量子点的TEM定性分析图、吸引谱、UPS、还有能级生长

红外二区（PbS）量子点图谱

(a) 油酸绘制过的PbS量子点的TEM图；

(b) 最原始油酸掩盖的PbS量子点、PbS-TBAI量子点和PbS-EDT量子点的消化吸收谱；

(c) PbS-TBAI量子点胶片的红外光谱光电材料子能谱（UPS），插图图片为两次光学截止日区扩大图；

(d) PbS-EDT量子点贴膜的太阳光的紫外线光学子能谱（UPS），图文并茂为第二次电子无线载止区调小图；

(e) PbS-TBAI和PbS-EDT的能级规划图，虚线为费米能级，上端实线为导带下边边实线为价带顶。

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近红外二区ZnCdSe/ZnS量子点

近红外二区PbSCdSe量子点

近红外二区PbS量子点

近红外二区碲化银Ag2Te量子点

近红外二区硒化银Ag2Se量子点

近红外二区ZnCdSe/ZnS量子点

近红外二区PbSCdSe量子点

近红外二区（PbS）量子点

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