在CVD方式方法生冒出角度晶体的多层住宅二混炼钼(MoS2)薄片(图案与文字说)

具有本征带隙的二维MoS2由于其在电子和光电子器件方面的潜力而引起了科研学着关注。 但是，由于这种材料的迁移率相对较低（甚至低于多晶硅），这大大地阻碍了其迈向实际应用。目前已经有一系列针对单层MoS2的研究，但是与此同时多层MoS2的研究相应的有所缺失。然而实际上，由于具有较高的态密度，多层MoS2具有比单层MoS2高得多的迁移率和驱动电流，这使得多层MoS2在薄膜晶体管、逻辑器件和传感器等方面更具应用前景。 然而，到目前为止报道的多层MoS2的**性能是通过机械剥离获得的，这并不适合实际应用，而目前化学气相沉积（CVD）合成的多晶多层MoS2薄膜，显示出低得多的迁移率。

为了推进多层为了推进多层MoS2的实际应用，我们通过CVD方法生长出高度结晶的多层MoS2薄片解决了上述问题。可以实现高达20层的MoS2以良好限定的AA顺序堆叠在一起，而且每层的边缘是原子级平滑的Mo原子锯齿形结构。多层沟道、原子级有序的边缘以及理想的接触几何形状使得这些CVD生长的多层MoS2薄片表现出优于机械剥离多层MoS2的电性能。除了场效应晶体管之外，这些多层MoS2晶体管也适合于构建基于单层-多层MoS2结的整流二极管。

【图文简介】

图1 获得差异叠加层数的MoS2薄片

a)选择拱式钝化Mo箔用于发生反应前体CVD植物的生长MoS2的提示图。b)滋生有机物的大宽度光学玻璃画面，展现了15-20层MoS2MoS2的滋生，劳动生产率≈70％，数量尺：50μm。c-f)CVD生长期的一层、5层、8层、17层MoS2薄片的光纤激光切割机的图像文件。g,h)12层MoS2的磁学图形同时AFM图形，至少MoS2体现了≈20μm的底长。i)如图的是g)中MoS2样品英文的拉曼mapping 图文，其含有在404cm -1处的峰。j) 该MoS2样本的PL mapping 彩色图像，其谷值在1.80eV峰处。c-j)中的比例表尺均为5μm。

图2 CVD生长MoS2薄片的层依赖光谱表征

a) 分别为是1,2,3,4,6,9和10层MoS2的光学仪器图形。比倒尺：5μm。b-d)依次相对应a)中MoS2薄片的拉曼、PL和SHG谱。e)E2g1、A1g拉曼的模式的层依耐感关系平率简答不同之处。f)层依耐感关系性PL峰地址和难度。g)层依耐感关系性SHG强。

图3 实验制备的多层MoS2的TEM和STEM表征结果

a)浮窗在多孔碳TEM网格上的CVD滋生的层层MoS2薄片TEM彩色图像。比列尺：1μm。在a)图内两层MoS2上记号的1和3的SAED图相分开如b)图和c)图如图。d)STEM-HAADF图片文件、e)另外个两层MoS2薄片（摄入问题）1-2层的边界处的模似图片文件。蓝色的和黄白色球分为指出Mo和S共价键。比重尺：1nm。f)从左到右分开是1至8层MoS2的STEM-HAADF模拟网图相。比列尺：1nm。g)AA堆叠的双层以上MoS2的氧原子结构结构的。面内Mo-S键的位置是一样的，楼层的S氧原子结构与底部的六角形咨询中心重合。

图4 CVD繁殖的多层高层MoS2薄片的电学性

a,b)两层设备剥离技术MoS2和CVD生长发育的MoS2薄好莱坞大片的电学接触的面积代数底部形态的示图图。c)在1V的偏压下16层MoS2的Ids-Vgs性能。插图图片：在40V的栅极输出功率下的Ids-Vds线条或电子元件的光学材料图相。基数尺：5μm。d)栅极电阻值为0V时在线测量的1-8层MoS2结的Ids-Vds性状。插画图片：元件的光学薄膜图相。分配比例尺：5μm。pcb电路板层数越多依赖症的e)电子器件迁出率和f）Vgs=40V和Vds=1V时电流量衡量值的统计表格数据信息，这之中红柱代表CVD产生的MoS2薄片，天蓝色柱代表机械设备剥除的MoS2薄片。

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CVD生长MBE-WSe2三角形单晶

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CVD-WSe2 全覆盖连续薄膜

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CVD-一步转移法单层氮化硼薄膜

CVD-SiO2/Si衬底单层氮化硼薄膜

CVD-铜基单层氮化硼薄膜

硅基氮化硼/石墨烯异质结

CVD-PdS2薄膜

CVD-多层氮化硼BN薄膜

CVD-硅基单层氮化硼BN薄膜

CVD-少层氮化硼BN薄膜

CVD-WS2-WSe2面内异质结

CVD-MoS2xSe2(1-x)合金单晶

CVD-PtSe2单层薄膜

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CVD-SnSe2单层薄膜

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B相二氧化钒VO2单晶薄膜

三氧化二钒V2O3单晶薄膜

M1相二氧化钒VO2单晶薄膜

CVD-三维氮化硼BN泡沫

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