氢掺杂增强CoFe2O4的磁化性能

研究师应用了阴离子药液门控(ILG)最简单的方法实行**的H参杂以减弱磁化。ILG能够产生正交流电压将质子进到这一领域装修材料中，还造成的电子器材参杂以保持着自由电荷弱酸性。

图1. 铝离子液态体门控诱导性尖晶石CFO的质子插层和结构特征演替（图片搜索由来：Adv. Funct. Mater.）

研究人员使用脉冲激光沉积在Nb掺杂SrTiO3 (STO)和纯STO衬底上制备了CFO薄膜，并对其进行ILG。在此过程中，离子液体N,N-二乙基-N-甲基-N-(2-甲氧乙基)铵基双(三氟甲磺酰)亚胺(DEME-TFSI)内的残余水通过外加电压被电解成质子和羟基，产生的质子积聚在样品表面。使用二次离子质谱(SIMS)对原始和门控CFO薄膜中的H+离子浓度进行深度剖面测量，结果表明门控样品中的氢浓度明显提高。

图2. ILG引发氢夹杂对CFO磁化性能指标的危害（图种类：Adv. Funct. Mater.）

通过密度泛函理论(DFT)计算揭示了在HCFO中Co阳离子和Fe阳离子增强磁化的潜在机制。研究人员对氧离子周围与质子结合的两种**的阳离子占位进行进一步考虑，计算结果表明，氢原子的加入导致了氢离子与氧离子之间的直接成键，与局部晶格变形和电荷掺杂有关。

总之，本工作通过ILG将电场诱导的氢掺杂到CFO薄膜中，实现了**H掺杂。为通过在CFO薄膜中掺杂氢从而实现磁化性能增强提供了一种新的实用途径。

阅读答案外链：//onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adfm.202212298原稿我们：Zhuolu Li, Yingjie Lyu, Zhao Ran, Yujia Wang, Yang Zhang, Nianpeng Lu, Meng Wang, Michel Sassi, Thai Duy Ha, Alpha T. N’Diaye, Padraic Shafer, Carolyn Pearce, Kevin Rosso, Elke Arenholz, Jenh-Yih Juang, Qing He, Ying-Hao Chu, Weidong Luo, and Pu YuDOI: 10.1002/adfm.202212298

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[C12Im]TS		1-12烷基咪唑对甲苯磺酸盐	1-DodecylImidazoliumTosylate
[C12m]TfS		1-12烷基咪唑三氟甲磺酸盐	1-DodecylImidazoliumtriFluoroMethaneSulfonate
[C12Im]NO3		1-12烷基咪唑盐酸盐	1-DodecylImidazoliumNitrate
[C12Im]Ac		1-十三烷基咪唑乙酸盐	1-DodecylImidazoliumAcetate
[C12Im]TfAc		1-第十二烷基咪唑三氟乙酸盐	1-DodecylImidazoliumtriFluoroAcetate
[S1Y2S3Im]X		N1,N3-双对称取代咪唑型
[(iC3)2Im]X
[(iC3)2Im]Cl	139143-09-2	1,3-二异丙基咪唑氯盐
[(iC3)2Im]BF4	286014-34-4	1,3-二异丙基咪唑四氟硼酸盐
[(CNC1)2Im]X
[M2XIm]X
[M2ClIm]Cl	37091-73-9	2-氯-1,3-二甲基咪唑氯盐
[M2ClIm]BF4	153433-26-2	2-氯-1,3-二甲基咪唑四氟硼酸盐
[M2ClIm]PF6	101385-69-7	2-氯-1,3-二甲基咪唑六氟磷酸二氢钠
[M2FIm]PF6	164298-27-5	2-氟-1,3-二甲基咪唑六氟磷酸