单层硅锗(Si-Ge)薄膜外延生长步骤
在温度表为６００度以内，３英尺１１型Ｓｉ（１００）衬底上生长期了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ双层格局，衬底进行ＲＣＡ＋１０％ＨＦ酸冲洗后当即送进装置，植物生长室本底进口真空ｌｆｆ７帕，衬底以向下１０转每秒的运行速度平移，生長期压强约几帕使用量级。生長期步下列：
１，以视频流量为２ｓｃｃｍ生张Ｓｉ缓冲区层，生张用时为１００秒。以改进概念衬底产品品质。
２，封精准流量阀，抽发芽的室其他气体，以消减ＳｉＧｅ、Ｓｉ层发芽的骚扰，升级优化发芽的经济条件。
３，开启气路转换开关，使ＳｉＨ４与Ｇｅ吸气体混均衡，精力６０秒。
４，开放气路打开，以Ｓｉｎ４：６ｅＨ４比是６：１ＳＣＣＭ生长发育ＳｉＧｅ层，生长发育时问５０秒。
５，去掉气路电开关，对生张室抽稳定度ｓｉｌ４４，Ｇｅｌ４４甲烷气体３０秒，以荣获有效成分陡峭的ＳｉＧｅ，Ｓｉ层。
６，以２ＳＣＣＭ用户流量萌发Ｓｉ一层，时４５０秒。
ＨＲＸＲＤ检验证实获取晶体更好ＳｉＧｅ概念层，ＸＴＥＭ检验（下面图）证实获取网页清洗，完全的层状结构特征，ｓｉ缓冲器层、ＳｉＧｅ层、Ｓｉ楼层先后厚为４０ｎｍ、４５ｎｍ、１８０ｎｍ。的同时看见售卖的硅片的缺陷比较大的，这那必然是我们的概念的品质有灾害应响。
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